SSD Drive SAMSUNG 4TB 850 Evo SATA 3 2.5" MZ-75E4T0B/EU

SAMSUNG 4TB 850 Evo SATA3 2,5" MZ-75E4T0B SSD meghajtó.

Mi a 3D V-NAND és miben különbözik a már meglévő technológiáktól?
A Samsung egyedülálló és innovatív 3D V-NAND flash memória architektúrája igazi áttörés a mai hagyományos sík NAND architektúrák korlátozott sűrűségének, teljesítményének és munkabírásának tekintetében. A 3D V-NAND kialakítása során 32 cellaréteget helyeztünk függőlegesen egymás fölé, a cellák méretének csökkentése és fix horizontális helyre illesztése helyett, így nagyobb sűrűséget ás jobb teljesítményt kaptunk, kisebb alapterületen.

Optimalizálja mindennapi számítógépes munkavégzését a TurboWrite technológiával a páratlan olvasási / írási sebesség érdekében
Érje el a leggyorsabb olvasási / írási teljesítményt és maximalizálja a mindennapos számítógépes munkavégzést a Samsung TurboWrite technológiájával. Nem csak hogy 10%-kal gazdagabb felhasználói élményben lehet része, mint a 840 EVO esetében, de akár 1,9-szer gyorsabb véletlenszerű írási sebességre tehet szert a 120 / 250 GB-os modelleknél. A 850 EVO osztályának csúcsteljesítményét nyújtja a szekvenciális olvasási (540 MB/s) és írási sebesség (520 MB/s) terén. Ráadásul, optimalizált véletlenszerű teljesítményt biztosít minden QD folyamatban a vállalati célú számítógép-használatkor.

Kerüljön az élvonalba a továbbfejlesztett RAPID móddal
A Samsung Magician szoftver Rapid módja 2-szer gyorsabb adatfeldolgozást biztosít* rendszerszinten, a PC memória (DRAM) gyorsítótárként való használatával. A 16 GB-os DRAM megalkotásával a legújabb Magician szoftver a korábbi 840-es EVO verzió Rapid módjának maximális memóriahasználatát 1 GB-ról 4Gb-ra növelte a 850 EVO-ban. Szintén 2-szeres a teljesítménynövekedés minden véletlenszerű egyidejű IO kérésnél.

Garantált teherbírás és megbízhatóság a 3D V-NAND technológiával
A 850 EVO az előző generációs 840 EVO-hoz képest a TBW megduplázásával garantált munkabírást és megbízhatóságot biztosít, melyet most iparágvezető 5 éves jótálással is szavatol. A minimális teljesítmény-csökkenésnek köszönhetően a 850 EVO a 840 EVO-val szemben akár 30%-os állandó teljesítmény-növekedést tesz lehetővé, mellyel ugyancsak azt bizonyítja, hogy a 850 EVO az egyik legmegbízhatóbb tároló eszköz.

Használja számítógépét tovább a 3D V-NAND által biztosított megnövekedett energiahatékonyságnak köszönhetően.
A 850 EVO jelentősen hosszabb akkumulátor élettartamot biztosít notebook-jának egy, a 3D V-NAND-hoz optimalizált vezérlő segítségével, mely most a készülék alvó állapotában az igen takarékos 2mW fogyasztást teszi elérhetővé. Írási műveletekkor a 850 EVO most 25%-kal energiahatékonyabb a 840 EVO-nál, köszönhetően a 3D V-NAND-nak, mely a sík 2D NAND által fogyasztott energiának csak a felét igényli.

Védje értékes adatait a fejlett AES 256 titkosítással
A 850 EVO védelméről a legújabb hardveralapú lemeztitkosító eszköz gondoskodik. Az AES 256 titkosító-bit biztonsági technológia a teljesítmény csökkentése nélkül védi az adatokat, és megfelel a TCG Opal 2.0 követelményeinek. A Microsoft e-drive IEEE1667 szabvánnyal is kompatibilis, így nyugodt lehet afelől, hogy adatai mindenkor védelmet élveznek.

Váltson 850 EVO-ra egyszerűen, nehézségek nélkül
A Samsung One-stop Telepítési navigátor szoftvere lehetővé teszi 3 egyszerű lépésben adatainak és alkalmazásainak átvitelét a már meglévő elsődleges tárhelyről a 850 EVO-ra. A Samsung Magician szoftver azt is lehetővé teszi, hogy rendszerét az SSD-jének leginkább megfelelő módon optimalizálja és kezelje.

Védje készülékét a túlmelegedéstől
Az 850 EVO Dynamic Thermal Guard funkciója folyamatosan felügyeli és fenntartja a meghajtó ideális hőmérsékletét, hogy optimális környezetet biztosítson adatai épségének érdekében. Ha a hőmérséklet átlép egy küszöbértéket, a Thermal Guard az adatok védelmében lecsökkenti a hőmérsékletet, és ezt követően is felügyeli a számítógépet, hogy megóvja azt a túlmelegedéstől.

Szerezze meg az egységes, „házon belül” előállított, csúcsminőségű alkatrészekből álló megoldást
A Samsung az egyetlen olyan SSD márka, mely az optimalizált integráció érdekében minden alkatrészét „házon belül” gyártotta le. Az eredmény – fokozott teljesítmény, alacsonyabb energiafogyasztás az akár 1 GB-os LPDDR2 DRAM gyorsítótárral, valamint megnövelt energia-hatékonyság a MEX / MGX vezérlővel.